金相分析图像显微镜镶,嵌试样和试样研磨技术的常识垂直截取半导体材料可以用类似于磨角抛光的技术垂直地.将一个大的试样研磨到预定的部位,所需的时间通常超过两小时.在镶嵌试样时应将其一部分高出于嵌入器的顶端,加热嵌入器,并在它平行于长轴的面上熔上一层粘结剂.将试样放在熔化的粘结剂上,并压紧试样作圆周运动以驱除多余的气体和粘结剂,并使之紧贴在嵌入器上.当嵌入器还是热的时候,把固定器倒置过来,使固定器搁置在一块显微镜的盖玻片上,并使试样的边缘搁在支承盖玻片的表面上. 这样,试样将比嵌入器的顶部表面高出相当于盖玻片的厚度.这种使试样边缘平行于嵌入器边缘的固定也有助于抛光的进行.为了不影响其后的抛光过程,必须除去试样顶部边缘及嵌入器顶部表面上过多的粘结剂.用棉球和适当的溶剂是可以除去这些多余的粘结剂的.由于抛光的表面积较大,使所需的抛光时间较长,在抛光之前不妨先用1800#磨料研磨试样.磨料与水放在另一个表面制备与抛光板相似的研磨板上,用手指搀合以使之均匀.如所加的水太少,浆液太浓,研磨固定器就不容易在浆液中移动.如浆液太薄,则单位时间内磨去物太少.正常的浆液(薄糖浆的浓度)会随着半导体被磨掉而变色.这种浆液的变深是正常的,并能指出何时应以一批新的浆液来代替.试样被研磨到显露出所需的目标前就暂停.
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